AGSe(AgGaSe2) क्रिस्टल्स

AGSeAgGaSe2 क्रिस्टल्सला 0.73 आणि 18 µm वर बँड किनारी असतात.त्याची उपयुक्त ट्रान्समिशन रेंज (0.9–16 µm) आणि रुंद फेज मॅचिंग क्षमता विविध लेझरद्वारे पंप केल्यावर OPO अनुप्रयोगांसाठी उत्कृष्ट क्षमता प्रदान करते.Ho:YLF लेसर 2.05 µm वर पंप करताना 2.5-12 µm च्या आत ट्यूनिंग प्राप्त झाले आहे;तसेच नॉन-क्रिटिकल फेज मॅचिंग (NCPM) ऑपरेशन 1.4-1.55 μm वर पंप करताना 1.9–5.5 µm आत.AgGaSe2 (AgGaSe2) हे इन्फ्रारेड CO2 लेसर रेडिएशनसाठी एक कार्यक्षम वारंवारता दुप्पट करणारे क्रिस्टल असल्याचे दाखवून दिले आहे.

क्रिस्टल स्ट्रक्चर:चौकोनी

सेल पॅरामीटर्स:a=5.992 Å, c=10.886 Å

द्रवणांक:८५१ °से

घनता:५.७०० ग्रॅम/सेमी ३

मोह्स कडकपणा:3-3.5

शोषण गुणांक: <0.05 सेमी-1 @ 1.064 µm
<0.02 सेमी-1 @ 10.6 µm

सापेक्ष डायलेक्ट्रिक कॉन्स्टंट @ 25 MHz:ε11s=10.5
ε11t=12.0

थर्मल विस्तार गुणांक:||C: -8.1 x 10-6 /°C
⊥C: +19.8 x 10-6 /°C

औष्मिक प्रवाहकता :1.0 W/M/°C

WhatsApp आम्हाला ईमेल पाठवा PDF म्हणून डाउनलोड करा

उत्पादन तपशील

तांत्रिक मापदंड

व्हिडिओ

स्टॉक यादी

DIEN TECH AgGaSe2 (AGSe) क्रिस्टल्स 0.73 आणि 18 µm वर बँड किनारी प्रदान करते.त्याची उपयुक्त ट्रान्समिशन रेंज (0.9–16 µm) आणि रुंद फेज मॅचिंग क्षमता विविध लेझरद्वारे पंप केल्यावर OPO अनुप्रयोगांसाठी उत्कृष्ट क्षमता प्रदान करते.
AgGaSe2 (AGSe) क्रिस्टल्स 2.05 µm वर Ho:YLF लेसरद्वारे पंप करताना 2.5-12 µm च्या आत ट्यूनिंग प्राप्त झाले आहे;तसेच नॉन-क्रिटिकल फेज मॅचिंग (NCPM) ऑपरेशन 1.4-1.55 μm वर पंप करताना 1.9–5.5 µm आत.
AgGaSe2 (AGSe) क्रिस्टल्स इन्फ्रारेड CO2 लेसर रेडिएशनसाठी एक कार्यक्षम वारंवारता दुप्पट करणारे क्रिस्टल असल्याचे सिद्ध झाले आहे.

AGSe चे अर्ज:
• CO आणि CO2 वर जनरेशन सेकंड हार्मोनिक्स - लेसर
• ऑप्टिकल पॅरामेट्रिक ऑसिलेटर
• 18 um पर्यंत मध्यम इन्फ्रारेड क्षेत्रांसाठी भिन्न वारंवारता जनरेटर.
• मध्यम IR प्रदेशात वारंवारता मिसळणे

मानक क्रॉस सेक्शन 8x 8 मिमी, 5 x 5 मिमी, क्रिस्टल लांबी 1 ते 30 मिमी पर्यंत आहेत.विनंतीनुसार सानुकूल आकार देखील उपलब्ध आहेत.

मूलभूत गुणधर्म
क्रिस्टल स्ट्रक्चर	चौकोनी
सेल पॅरामीटर्स	a=5.992 Å, c=10.886 Å
द्रवणांक	८५१ °से
घनता	५.७०० ग्रॅम/सेमी ३
मोहस कडकपणा	3-3.5
शोषण गुणांक	<0.05 सेमी-1 @ 1.064 µm <0.02 सेमी-1 @ 10.6 µm
सापेक्ष डायलेक्ट्रिक कॉन्स्टंट @ 25 MHz	ε11s=10.5 ε11t=12.0
थर्मल विस्तार गुणांक	\|\|C: -8.1 x 10-6 /°C ⊥C: +19.8 x 10-6 /°C
औष्मिक प्रवाहकता	1.0 W/M/°C

रेखीय ऑप्टिकल गुणधर्म
पारदर्शकता श्रेणी	०.७३-१८.० उम
अपवर्तक निर्देशांक @ 1.064 um @ 5.300 um @ 10.60 um	no 2.7010 2.6134 2.5912	ne 2.6792 2.5808 2.5579
थर्मो-ऑप्टिक गुणांक	dno/dt=15.0 x 10-5/°C dne/dt=15.0 x 10-5/°C
सेलमीयर समीकरण (ʎ in um)	no2=4.6453+2.2057/(1-0.1879/ʎ2)+1.8577/(1-1600/ʎ2) ne2=5.2912+1.3970/(1-0.2845/ʎ2)+1.9282/(1-1600/ʎ20)

नॉनलाइनर ऑप्टिकल गुणधर्म
NLO गुणांक @ 10.6 um	d36=d24=d15=39.5 pm/V
रेखीय इलेक्ट्रो-ऑप्टिक गुणांक	Y41T=4.5 pm/V Y63T=3.9 pm/V
नुकसान थ्रेशोल्ड @ ~ 10 ns, 1.064 um	20-30 MW/cm2(पृष्ठभाग)

तांत्रिक गुणधर्म
परिमाण सहिष्णुता	(W +/-0.1 मिमी) x (H +/-0.1 मिमी) x (L + 1 मिमी/-0.5 मिमी)
छिद्र साफ करा	> 90% मध्यवर्ती क्षेत्र
सपाटपणा	T>=1 मिमी साठी λ/8 @ 633 nm
पृष्ठभाग गुणवत्ता	कोटिंगनंतर 60-40 स्क्रॅच/खणणे
समांतरता	30 आर्क सेकंदांपेक्षा चांगले
लंबरता	10 चाप मिनिटे
अभिमुखता अचूकता	<३०''

मॉडेल	उत्पादन	आकार	अभिमुखता	पृष्ठभाग	माउंट	प्रमाण
DE0688	AGSe	५५०.५ मिमी	θ=45°φ=45°	दोन्ही बाजू पॉलिश केल्या	अनमाउंट	1
DE0160	AGSe	५५१.५ मिमी	θ=58.8°φ=0°	दोन्ही बाजू पॉलिश केल्या	अनमाउंट	2
DE0161	AGSe	५५१.५ मिमी	θ=52°φ=45°	दोन्ही बाजू पॉलिश केल्या	अनमाउंट	1
DE0324-2	AGSe	551 मिमी	θ=53.3°φ=0°	दोन्ही बाजू पॉलिश केल्या	अनमाउंट	2
DE0324-3	AGSe	551 मिमी	θ=65°φ=0°	दोन्ही बाजू पॉलिश केल्या	अनमाउंट	2
DE0687	AGSe	551 मिमी	θ=45°φ=45°	दोन्ही बाजू पॉलिश केल्या	अनमाउंट	1
DE0324	AGSe	552 मिमी	θ=53.1°φ=45°	दोन्ही बाजू पॉलिश केल्या	अनमाउंट	1
DE0464	AGSe	५६०.५ मिमी	θ=45°φ=45°	AR/AR@1.7~2.8+6-14um	अनमाउंट	3
DE0464-1	AGSe	561 मिमी	θ=45°φ=45°	AR/AR@1.7~2.8+6-14um	अनमाउंट	2
DE0442	AGSe	661.6 मिमी	θ=41.9°φ=45°	दोन्ही बाजू पॉलिश केल्या	अनमाउंट	2
DE0139	AGSe	८८१.५ मिमी	θ=53.1°φ=45°	दोन्ही बाजू पॉलिश केल्या	अनमाउंट	1
DE0214	AGSe	8812 मिमी	θ=52°φ=45°	AR/AR@1.7~2.8+6-14um	अनमाउंट	1
DE0372	AGSe	९.५८१२ मिमी	θ=49°φ=45°	AR/AR@1.7~2.8+6-14um	अनमाउंट	1