टेराहर्ट्झ स्त्रोत हे नेहमीच THz रेडिशनच्या क्षेत्रातील सर्वात महत्वाचे तंत्रज्ञान आहे. THz रेडिशन प्राप्त करण्यासाठी बरेच मार्ग कार्यक्षम सिद्ध झाले आहेत. सामान्यतः, टेलिक्ट्रॉनिक्स आणि फोटोनिक्स तंत्रज्ञान.फोटोनिक्सच्या फाइलमध्ये, मोठ्या नॉनलाइनर गुणांकावर आधारित नॉनलाइनर ऑप्टिकल फरक-फ्रिक्वेंसी जनरेशन, उच्च ऑप्टिकल डॅमेज थ्रेशोल्ड नॉनलाइनर क्रिस्टल्स हा उच्च पॉवर, ट्यून करण्यायोग्य, पोर्टेबल आणि खोलीचे तापमान ऑपरेटिंग THz वेव्ह मिळविण्याचा एक मार्ग आहे.GaSe आणि ZnGeP2(ZGP) नॉनलाइनर क्रिस्टल्स बहुतेक लागू होतात.
मिलिमीटर आणि THz वेव्ह, उच्च खराब झालेले थ्रेशोल्ड आणि उच्च द्वितीय नॉनलियर गुणांक (d22 = 54 pm/V) वर कमी शोषणासह GaSe क्रिस्टल्सचा वापर सामान्यतः 40μm च्या आत टेराहर्ट्झ वेव्हवर प्रक्रिया करण्यासाठी आणि लांब वेव्हबँड ट्यूनेबल Thz वेव्ह (40μm च्या पलीकडे) करण्यासाठी केला जातो.11.19°-23.86°[eoo (e - o = o)] येथे जुळणारा कोन 2.60 -39.07μm वर ट्यून करण्यायोग्य THz तरंग आणि 12.19°-27.01°[eoe (e) एंगल जुळत असताना 2.60 -36.68μm आउटपुट सिद्ध झाले. - o = e)].शिवाय, 1.13°-84.71°[oee (o - e = e)] येथे मॅच अँगल असताना 42.39-5663.67μm ट्यूनेबल THz वेव्ह प्राप्त झाले.
उच्च नॉनलाइनर गुणांक, उच्च थर्मल चालकता, उच्च ऑप्टिकल खराब झालेले थ्रेशोल्ड असलेले ZnGeP2 (ZGP) क्रिस्टल्सचे देखील उत्कृष्ट THz स्त्रोत म्हणून संशोधन केले गेले आहे.ZnGeP2 मध्ये d36 = 75 pm/V वर दुसरा नॉनलाइनर गुणांक देखील आहे), जो KDP क्रिस्टल्सच्या 160 पट आहे.ZGP क्रिस्टल्सचे दोन प्रकारचे फेज जुळणारे कोन (1.03°-10.34°[oee (oe = e)]& 1.04°-10.39°[oeo (oe= e)]) समान THz आउटपुट (43.01 -5663.67μm), उच्च कार्यक्षम नॉनलाइनर गुणांकामुळे oeo प्रकार हा एक चांगला पर्याय असल्याचे सिद्ध झाले.बर्याच काळापासून, ZnGeP2 क्रिस्टल्सचे Terahertz स्त्रोत म्हणून आउटपुट प्रोफॉर्मन्स मर्यादित होते, कारण इतर पुरवठादारांकडून ZnGeP2 क्रिस्टल जवळच्या इन्फ्रारेड प्रदेशात (1-2μm): शोषण गुणांक >0.7cm-1 @1μm आणि >0.06 मध्ये जास्त शोषण होते. cm-1@2μm.तथापि, DIEN TECH ZGP(मॉडेल: YS-ZGP) स्फटिक प्रदान करते ज्यात सुपर लो शोषण:शोषण गुणांक<0.35cm-1@1μm आणि <0.02cm-1@2μm.प्रगत YS-ZGP क्रिस्टल्स वापरकर्त्यांना अधिक चांगल्या आउटपुटपर्यंत पोहोचण्यास सक्षम करतात.
संदर्भ:'基于 GaSe 和 Zn GeP2 晶体差频产生可调谐太赫兹辐射的理论研究'2008 चिन.फिज.समाज
