उत्पादने

GaSe क्रिस्टल

गॅलियम सेलेनाइड (GaSe) नॉन-लीनियर ऑप्टिकल सिंगल क्रिस्टल, मोठ्या नॉन-लीनियर गुणांक, उच्च नुकसान थ्रेशोल्ड आणि विस्तृत पारदर्शकता श्रेणी एकत्रित करते.हे मध्य-IR मध्ये SHG साठी अतिशय योग्य साहित्य आहे.
ZGP(ZnGeP2) क्रिस्टल्स

मोठे नॉनलाइनर गुणांक असलेले ZGP क्रिस्टल्स (d36=75pm/V), रुंद इन्फ्रारेड पारदर्शकता श्रेणी(0.75-12μm), उच्च थर्मल चालकता (0.35W/(cm·K), उच्च लेसर डॅमेज थ्रेशोल्ड (2-5J/cm2) आणि वेल मशीनिंग प्रॉपर्टी, ZnGeP2 क्रिस्टलला इन्फ्रारेड नॉनलाइनर ऑप्टिकल क्रिस्टल्सचा राजा म्हटले जात असे आणि तरीही उच्च शक्ती, ट्यून करण्यायोग्य इन्फ्रारेड लेसर निर्मितीसाठी सर्वोत्तम वारंवारता रूपांतरण सामग्री आहे.आम्ही अत्यंत कमी अवशोषण गुणांक α <0.05 cm-1 (पंप तरंगलांबी 2.0-2.1 µm) सह उच्च ऑप्टिकल गुणवत्ता आणि मोठ्या व्यासाचे ZGP क्रिस्टल्स देऊ शकतो, ज्याचा वापर OPO किंवा OPA द्वारे उच्च कार्यक्षमतेसह मध्यम-अवरक्त ट्यूनेबल लेसर तयार करण्यासाठी केला जाऊ शकतो. प्रक्रिया.
AGSe(AgGaSe2) क्रिस्टल्स

AGSeAgGaSe2 क्रिस्टल्सला 0.73 आणि 18 µm वर बँड किनारी असतात.त्याची उपयुक्त ट्रान्समिशन रेंज (0.9–16 µm) आणि रुंद फेज मॅचिंग क्षमता विविध लेझरद्वारे पंप केल्यावर OPO अनुप्रयोगांसाठी उत्कृष्ट क्षमता प्रदान करते.Ho:YLF लेसर 2.05 µm वर पंप करताना 2.5-12 µm च्या आत ट्यूनिंग प्राप्त झाले आहे;तसेच नॉन-क्रिटिकल फेज मॅचिंग (NCPM) ऑपरेशन 1.4-1.55 μm वर पंप करताना 1.9–5.5 µm आत.AgGaSe2 (AgGaSe2) हे इन्फ्रारेड CO2 लेसर रेडिएशनसाठी एक कार्यक्षम वारंवारता दुप्पट करणारे क्रिस्टल असल्याचे दाखवून दिले आहे.
AGS(AgGaS2) क्रिस्टल्स

AGS 0.50 ते 13.2 µm पर्यंत पारदर्शक आहे.उल्लेख केलेल्या इन्फ्रारेड क्रिस्टल्समध्ये त्याचा नॉनलाइनर ऑप्टिकल गुणांक सर्वात कमी असला तरी, Nd:YAG लेसरद्वारे पंप केलेल्या OPOs मध्ये 550 nm वर उच्च लहान तरंगलांबी पारदर्शकता धार वापरली जाते;डायोड, Ti:Sapphire, Nd:YAG आणि IR डाई लेसर 3-12 µm श्रेणी व्यापणारे असंख्य फ्रिक्वेंसी मिक्सिंग प्रयोगांमध्ये;डायरेक्ट इन्फ्रारेड काउंटरमेजर सिस्टममध्ये आणि CO2 लेसरच्या SHG साठी.पातळ AgGaS2 (AGS) क्रिस्टल प्लेट्स NIR तरंगलांबीच्या डाळींचा वापर करून मध्य IR श्रेणीतील फरक वारंवारता निर्मितीसाठी अल्ट्राशॉर्ट पल्स निर्मितीसाठी लोकप्रिय आहेत.
BGSe(BaGa4Se7) क्रिस्टल्स

BGSe (BaGa4Se7) चे उच्च-गुणवत्तेचे क्रिस्टल्स हे chalcogenide कंपाऊंड BaGa4S7 चे सेलेनाइड ॲनालॉग आहे, ज्याची एसेंट्रिक ऑर्थोरोम्बिक रचना 1983 मध्ये ओळखली गेली होती आणि 2009 मध्ये IR NLO प्रभाव नोंदवला गेला होता, एक नवीन विकसित IR NLO क्रिस्टल आहे.ब्रिजमन-स्टॉकबर्गर तंत्राद्वारे ते प्राप्त झाले.हे क्रिस्टल 0.47-18 μm च्या विस्तृत श्रेणीवर उच्च संप्रेषण प्रदर्शित करते, सुमारे 15 μm वर शोषण शिखर वगळता.
BGGSe(BaGa2GeSe6) क्रिस्टल्स

BaGa2GeSe6 क्रिस्टलमध्ये उच्च ऑप्टिकल डॅमेज थ्रेशोल्ड (110 MW/cm2), विस्तृत स्पेक्ट्रल पारदर्शकता श्रेणी (0.5 ते 18 μm पर्यंत) आणि उच्च नॉनलाइनरिटी (d11 = 66 ± 15 pm/V) आहे, जे या क्रिस्टलसाठी अतिशय आकर्षक बनवते. मध्य-आयआर श्रेणीमध्ये (किंवा आत) लेसर रेडिएशनचे वारंवारता रूपांतरण.