GaP
Gallium phosphide (GaP) क्रिस्टल ही पृष्ठभागाची चांगली कडकपणा, उच्च थर्मल चालकता आणि रुंद बँड ट्रान्समिशन असलेली इन्फ्रारेड ऑप्टिकल सामग्री आहे.उत्कृष्ट सर्वसमावेशक ऑप्टिकल, यांत्रिक आणि थर्मल गुणधर्मांमुळे, गॅप क्रिस्टल्स लष्करी आणि इतर व्यावसायिक उच्च-तंत्र क्षेत्रात लागू केले जाऊ शकतात.
| मूळ गुणधर्म | |
| क्रिस्टल रचना | झिंक ब्लेंडे |
| सममितीचा समूह | Td2-F43m |
| 1 सेमी मध्ये अणूंची संख्या3 | ४.९४·१०22 |
| Auger पुनर्संयोजन गुणांक | 10-३०सेमी6/s |
| Debye तापमान | ४४५ के |
| घनता | 4.14 ग्रॅम सेमी-3 |
| डायलेक्ट्रिक स्थिरांक (स्थिर) | 11.1 |
| डायलेक्ट्रिक स्थिरांक (उच्च वारंवारता) | ९.११ |
| प्रभावी इलेक्ट्रॉन वस्तुमानml | 1.12mo |
| प्रभावी इलेक्ट्रॉन वस्तुमानmt | 0.22mo |
| प्रभावी भोक वस्तुमानmh | 0.79mo |
| प्रभावी भोक वस्तुमानmlp | 0.14mo |
| इलेक्ट्रॉन आत्मीयता | 3.8 eV |
| जाळी स्थिर | ५.४५०५ ए |
| ऑप्टिकल फोनॉन ऊर्जा | ०.०५१ |
| तांत्रिक मापदंड | |
| प्रत्येक घटकाची जाडी | 0.002 आणि 3 +/-10% मिमी |
| अभिमुखता | ११० - ११० |
| पृष्ठभाग गुणवत्ता | scr-dig 40-20 — 40-20 |
| सपाटपणा | 633 nm वर लाटा - 1 |
| समांतरता | आर्क मि < 3 |
